本產(chǎn)品結(jié)合了現(xiàn)代數(shù)字變頻良好技術(shù)，采用微機控制，升壓、降壓、測量、保護*自動化，并且在自動升壓過程中能進行人工干預(yù)。由于全電子化，所以體積小重量輕、大屏幕液晶顯示，清晰直觀、打印機輸出試驗報告。設(shè)計指標(biāo)*符合《電力設(shè)備測試儀器通用技術(shù)條件，第4部分：超低頻高壓發(fā)生器通用技術(shù)條件》電力行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，使用十分方便。現(xiàn)在國內(nèi)外均采用機械式的辦法進行調(diào)制和解調(diào)產(chǎn)生超低頻信號，所以存在正弦波波形不標(biāo)準(zhǔn)，測量誤差大，高壓部分有火花放電，設(shè)備笨重，而且正弦波的二，四象限還需要大功率高壓電阻進行放電整形，所以設(shè)備的整體功耗較大。本產(chǎn)品均能克服這樣一些不足之處。

一、VLF系列智能超低頻耐壓試驗裝置特點

★ 電流、電壓數(shù)據(jù)均直接通過高壓側(cè)采樣獲得，所以數(shù)據(jù)真實、準(zhǔn)確。

★ 過壓保護：當(dāng)輸出超過所設(shè)定的限壓值時，儀器將停機保護，動作時間小于２０ms。

★ 過流保護：設(shè)計為高低壓雙重保護，高壓側(cè)可按設(shè)定值進行 停機保護；低壓側(cè)的電流超過額定電流時將進行停機保護，動作時間都小于２０ms。

★高壓輸出保護電阻設(shè)計在升壓體內(nèi)，所以外面不需另接保護電阻。

★ 由于采用了高低壓閉環(huán)負(fù)反饋控制電路，所以輸出無容升效應(yīng)。

二、VLF系列智能超低頻耐壓試驗裝置原理

超低頻絕緣耐壓試驗實際上是工頻耐壓試驗的一種替代方法。我們知道，在對大型發(fā)電機、電纜等試品進行工頻耐壓試驗時，由于它們的絕緣層呈現(xiàn)較大的電容量，所以需要很大容量的試驗變壓器或諧振變壓器。這樣一些巨大的設(shè)備，不但笨重，造價高，而且使用十分不便。為了解決這一矛盾，電力部門采用了降低試驗頻率，從而降低了試驗電源的容量。從國內(nèi)外多年的理論和實踐證明，用0.1Hz超低頻耐壓試驗替代工頻耐壓試驗，不但能有同樣的等效性，而且設(shè)備的體積大為縮小，重量大為減輕 ，理論上容量約為工頻的五百分之一。試驗程序大大地減化，與工頻試驗相比*性更多。這就是為什么發(fā)達國家普遍采用這一方法的原因。我國電力部以委托武漢高壓研究所起草了《35kV及以下交聯(lián)聚乙烯絕緣電力電纜超低頻（0.1Hz）耐壓試驗方法》行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。我國正在推廣這一方法，本儀器是根據(jù)我國這一需要研制而成的。可廣泛用于電纜、大型高壓旋轉(zhuǎn)電機、電力電容器的交流耐壓試驗之中。

三、技術(shù)指標(biāo)

型號

額定電壓

帶載能力

電源保險管

重量

用途

80KV     超低頻

80kV

(峰值)

0.1Hz,≤0.5µF

25A

控制器：6kg

升壓體I：39kg

升壓體II：59kg

用于35KV及以下電纜、發(fā)電機

0.05Hz,≤1.0µF

0.02Hz,≤2.5µF

0.01Hz,≤5.0µF

2、30KV超低頻

四、技術(shù)參數(shù)：

1、輸出額定電壓：參見表

2、輸出頻率：0.1Hz、0.05Hz、0.02Hz、0.01Hz。

3、帶載能力：參見表1    0.1  Hz  大0.5µF

0.05 Hz  大1.0µF

0.02 Hz  大2.5µF

0.01 Hz  大5.0µF

4、測量精度：±（3%滿量程 0.5KV）

5、電壓波形失真度：≤5%

6、使用條件：戶內(nèi)、戶外；溫度：-10℃∽ 40℃；濕度：≤85%RH

7、電源：交流50 Hz，220V ±5%

8、電源保險管：參見表格

超低頻 耐壓試驗裝置接合了現(xiàn)代數(shù)字變頻良好技術(shù)，采用微機控制，升壓、降壓、測量、保護*自動化，并且在自動升壓過程中能進行人工干預(yù)。由于全電子化，所以體積小重量輕、大屏幕液晶顯示，清晰直觀、且能顯示輸出波形、打印機輸出試驗報告。設(shè)計*符合《電力設(shè)備測試儀器通用技術(shù)條件》，第4部分：《超低頻 高壓發(fā)生器通用技術(shù)條件》電力行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，使用十分方便。現(xiàn)在國內(nèi)外均采用機械式的辦法進行調(diào)制和解調(diào)產(chǎn)生超低頻信號，所以存在正弦波波形不標(biāo)準(zhǔn)，測量誤差大，高壓部分有火花放電，設(shè)備笨重，而且正弦波的二，四象限還需要大功率高壓電阻進行放電整形，所以設(shè)備的整體功耗較大。